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RDN100N20

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

RDN100N20 データシート

compliant

RDN100N20 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 543 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 35W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FN
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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