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RF4E070GNTR

RF4E070GNTR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8

非準拠

RF4E070GNTR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.14025 -
6,000 $0.13175 -
15,000 $0.12325 -
30,000 $0.11900 -
62 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 21.4mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 220 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ HUML2020L8
パッケージ/ケース 8-PowerUDFN
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関連部品番号

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