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RJU002N06T106

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

非準拠

RJU002N06T106 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.08586 -
6,000 $0.08109 -
15,000 $0.07394 -
30,000 $0.06917 -
75,000 $0.06678 -
1243 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 18 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 200mW (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ UMT3
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
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