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RP1E090XNTCR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 9A MPT6

非準拠

RP1E090XNTCR 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.8 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 440 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ MPT6
パッケージ/ケース 6-SMD, Flat Leads
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