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RQ3E070BNTB1

RQ3E070BNTB1

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Rohm Semiconductor

NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07

compliant

RQ3E070BNTB1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.41118 $0.41118
500 $0.4070682 $203.5341
1000 $0.4029564 $402.9564
1500 $0.3988446 $598.2669
2000 $0.3947328 $789.4656
2500 $0.390621 $976.5525
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Ta), 15A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 410 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

RS1E300GNTB
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SI2369DS-T1-BE3
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