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RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

compliant

RQ3E130MNTB1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.42000 -
1969 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.1mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 840 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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