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RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457

非準拠

RQ6E085BNTCR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.33350 -
6,000 $0.32200 -
16 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 32.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1350 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TSMT6 (SC-95)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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