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RS1E281BNTB1

RS1E281BNTB1

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP

非準拠

RS1E281BNTB1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.02000 $2.02
500 $1.9998 $999.9
1000 $1.9796 $1979.6
1500 $1.9594 $2939.1
2000 $1.9392 $3878.4
2500 $1.919 $4797.5
2411 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 28A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.3mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 94 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5100 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSOP
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

TN2106N3-G
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