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RS6L120BGTB1

RS6L120BGTB1

RS6L120BGTB1

Rohm Semiconductor

NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE

非準拠

RS6L120BGTB1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.77000 $3.77
500 $3.7323 $1866.15
1000 $3.6946 $3694.6
1500 $3.6569 $5485.35
2000 $3.6192 $7238.4
2500 $3.5815 $8953.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3520 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 104W (Tj)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSOP
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

2SK2499-Z-AZ
PSMN8R7-100YSFQ
PSMN8R7-100YSFQ
$0 $/ピース
NTMFS08N2D5C
NTMFS08N2D5C
$0 $/ピース
DMTH4007SPSQ-13
DMN2310UWQ-7
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$0 $/ピース
UPA1559H(2)-AZ
DMTH8028LFVW-13
IPWS65R022CFD7AXKSA1
2SK2111-D-T1-AZ
NTMFS5C609NLT1G
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$0 $/ピース

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