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RV2C010UNT2L

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

compliant

RV2C010UNT2L 価格と注文

単価 外貨価格
8,000 $0.05940 -
16,000 $0.05280 -
24,000 $0.04950 -
56,000 $0.04620 -
48000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.2V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 40 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 400mW (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ VML1006
パッケージ/ケース SC-101, SOT-883
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