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RV4E031RPHZGTCR1

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RV4E031RPHZGTCR1

Rohm Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

compliant

RV4E031RPHZGTCR1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
2960 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 105mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.8 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 460 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ DFN1616-6W
パッケージ/ケース 6-PowerWFDFN
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関連部品番号

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