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RV8C010UNHZGG2CR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W

非準拠

RV8C010UNHZGG2CR 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.64000 $0.64
500 $0.6336 $316.8
1000 $0.6272 $627.2
1500 $0.6208 $931.2
2000 $0.6144 $1228.8
2500 $0.608 $1520
5970 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 40 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN1010-3W
パッケージ/ケース 3-XFDFN
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関連部品番号

PSMN4R0-25YLC,115
PSMN4R1-30YLC,115
PJQ5443_R2_00001
IPB60R099CPATMA1
HUF75329D3
HUF75329D3
$0 $/ピース
SI7421DN-T1-GE3
SI7421DN-T1-GE3
$0 $/ピース
IRLML6244TRPBF
CSD25303W1015
CSD25303W1015
$0 $/ピース
AOTF11S65L
CMPDM7002AG TR PBFREE

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