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SCT3017ALGC11

SCT3017ALGC11

SCT3017ALGC11

Rohm Semiconductor

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

非準拠

SCT3017ALGC11 価格と注文

単価 外貨価格
1 $122.40000 $122.4
500 $121.176 $60588
1000 $119.952 $119952
1500 $118.728 $178092
2000 $117.504 $235008
2500 $116.28 $290700
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 118A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 18V
rds オン (最大) @ id、vgs 22.1mOhm @ 47A, 18V
vgs(th) (最大) @ id 5.6V @ 23.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 172 nC @ 18 V
vgs (最大) +22V, -4V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2884 pF @ 500 V
FET機能 -
消費電力(最大) 427W
動作温度 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247N
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

C3M0120090D
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$0 $/ピース
2N6760TXV
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STL45N60DM6
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$0 $/ピース
IPDD60R055CFD7XTMA1
TSM033NA03CR RLG
2SK2158-T2B-A
IXTA2N100P
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IRFR4105TRLPBF
BUK7611-55B,118
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$0 $/ピース
DMN1008UFDF-7
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