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SH8M11TB1

SH8M11TB1

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

SH8M11TB1 データシート

非準拠

SH8M11TB1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.26100 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 98mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 1.9nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 85pF @ 10V
パワー - 最大 2W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
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関連部品番号

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