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SH8M13GZETB

SH8M13GZETB

SH8M13GZETB

Rohm Semiconductor

MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

非準拠

SH8M13GZETB 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.38360 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A, 7A
rds オン (最大) @ id、vgs 29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1200pF @ 10V
パワー - 最大 2W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
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関連部品番号

FDG6301N_D87Z
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IRF7754GTRPBF
SI4388DY-T1-E3
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$0 $/ピース
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SI4618DY-T1-GE3
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AUIRF7342Q
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UP04979G0L
SI5903DC-T1-GE3
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ZXMD63N03XTC
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SI6933DQ-T1-GE3
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$0 $/ピース

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