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SH8M2TB1

SH8M2TB1

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

SH8M2TB1 データシート

非準拠

SH8M2TB1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.31900 -
174 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3.5nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 140pF @ 10V
パワー - 最大 2W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
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