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SP8M9TB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

SP8M9TB データシート

非準拠

SP8M9TB 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A, 5A
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1190pF @ 10V
パワー - 最大 2W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
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