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US6J11TR

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Rohm Semiconductor

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

US6J11TR データシート

非準拠

US6J11TR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19530 -
6,000 $0.18270 -
15,000 $0.17640 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.3A
rds オン (最大) @ id、vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2.4nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 290pF @ 6V
パワー - 最大 320mW
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ TUMT6
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関連部品番号

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