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US6M11TR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

US6M11TR データシート

非準拠

US6M11TR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19530 -
6,000 $0.18270 -
15,000 $0.17640 -
836 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V, 12V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.5A, 1.3A
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 1.8nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 110pF @ 10V
パワー - 最大 1W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ TUMT6
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関連部品番号

SQ3989EV-T1_GE3
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NTUD3174NZT5G
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SI7900AEDN-T1-E3
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SIZF300DT-T1-GE3
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2N7002DS6
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DMN6022SSD-13
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QS8M11TCR
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