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US6M1TR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

US6M1TR データシート

非準拠

US6M1TR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.22940 -
6,000 $0.21460 -
15,000 $0.20720 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V, 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.4A, 1A
rds オン (最大) @ id、vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 70pF @ 10V
パワー - 最大 1W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ TUMT6
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関連部品番号

CMLDM7002AJ TR PBFREE
DMN3270UVT-13
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IRF7303TRPBF
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NTMD6P02R2SG
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