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VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

VT6M1T2CR データシート

compliant

VT6M1T2CR 価格と注文

単価 外貨価格
8,000 $0.05580 -
16,000 $0.04960 -
24,000 $0.04650 -
56,000 $0.04340 -
70277 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate, 1.2V Drive
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100mA
rds オン (最大) @ id、vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
入力容量(ciss)(最大)@vds 7.1pF @ 10V
パワー - 最大 120mW
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ VMT6
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関連部品番号

BUK9K5R1-30EX
BUK9K5R1-30EX
$0 $/ピース
QH8KC5TCR
QH8KC5TCR
$0 $/ピース
DMP2110UVT-13
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$0 $/ピース
IRF9956TRPBF
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$0 $/ピース
SPA15N65C3
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$0 $/ピース
2SJ172-E
IRF7316GTRPBF
SSM6N68NU,LF
AO8810
AO4807

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