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L6389EDTR

L6389EDTR

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STMicroelectronics

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO

L6389EDTR データシート

非準拠

L6389EDTR 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.63441 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
駆動構成 Half-Bridge
チャンネルタイプ Independent
ドライバーの数 2
ゲートタイプ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧 - 供給 17V (Max)
ロジック電圧 - vil、vih 1.1V, 1.8V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 400mA, 650mA
入力タイプ Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600 V
上昇/下降時間(標準) 70ns, 40ns
動作温度 -45°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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