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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
駆動構成 | Half-Bridge |
チャンネルタイプ | Independent |
ドライバーの数 | 2 |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
電圧 - 供給 | 17V (Max) |
ロジック電圧 - vil、vih | 1.1V, 1.8V |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 400mA, 650mA |
入力タイプ | Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 600 V |
上昇/下降時間(標準) | 70ns, 40ns |
動作温度 | -45°C ~ 125°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
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