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STB18N60M2

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

compliant

STB18N60M2 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.58865 -
2 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 791 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 110W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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