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STB18NM80

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

STB18NM80 データシート

compliant

STB18NM80 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.93760 -
2,000 $1.85136 -
5,000 $1.78976 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2070 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 190W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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