ichome.comへようこそ!

logo

STB19NM65N

STB19NM65N

STB19NM65N

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK

非準拠

STB19NM65N 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.83000 $5.83
500 $5.7717 $2885.85
1000 $5.7134 $5713.4
1500 $5.6551 $8482.65
2000 $5.5968 $11193.6
2500 $5.5385 $13846.25
776 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 270mOhm @ 7.75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1900 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

NVMFS6H852NT1G
NVMFS6H852NT1G
$0 $/ピース
SIRA01DP-T1-GE3
SIRA01DP-T1-GE3
$0 $/ピース
BST82,215
BST82,215
$0 $/ピース
SI2314EDS-T1-E3
SI2314EDS-T1-E3
$0 $/ピース
FDS7060N7
FDS7060N7
$0 $/ピース
IPP80R1K2P7
IPP80R1K2P7
$0 $/ピース
FDMS86103L
FDMS86103L
$0 $/ピース
STS6P3LLH6
STS6P3LLH6
$0 $/ピース
NP36P04SDG-E1-AY
TK100L60W,VQ

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。