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STB8NM60D

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

STB8NM60D データシート

compliant

STB8NM60D 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.49940 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 380 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

BUK9E04-40A,127
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NTLJS3113PT1G
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MCH3421-TL-E
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DMG3401LSNQ-13
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NTB60N06T4G
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