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STB9NK80Z

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK

STB9NK80Z データシート

compliant

STB9NK80Z 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.93760 -
2,000 $1.85136 -
5,000 $1.78976 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1138 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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SCTH35N65G2V-7
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