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STP3N80K5

STP3N80K5

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220

STP3N80K5 データシート

compliant

STP3N80K5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.23000 $2.23
50 $1.82280 $91.14
100 $1.65230 $165.23
500 $1.31130 $655.65
1,000 $1.10670 -
2,500 $1.03850 -
5,000 $1.00440 -
858 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 130 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

IPD60R380E6ATMA2
SSM3J353F,LF
PSMN3R3-40MSHX
PSMN3R3-40MSHX
$0 $/ピース
SI7157DP-T1-GE3
SI7157DP-T1-GE3
$0 $/ピース
SISS40DN-T1-GE3
SISS40DN-T1-GE3
$0 $/ピース
IRL6342TRPBF
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$0 $/ピース
BUK98180-100A/CUX
SI7114DN-T1-GE3
SI7114DN-T1-GE3
$0 $/ピース
IPN60R2K0PFD7SATMA1
BUK7Y10-30B,115
BUK7Y10-30B,115
$0 $/ピース

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