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STP9N65M2

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

STP9N65M2 データシート

非準拠

STP9N65M2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.84000 $1.84
50 $1.48780 $74.39
100 $1.33900 $133.9
500 $1.04142 $520.71
1,000 $0.86290 -
2,500 $0.80338 -
5,000 $0.77363 -
983 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 315 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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SI3477DV-T1-GE3
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HUF75333P3
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DMP2039UFDE4-7
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BUK6607-75C,118
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RTR025N03HZGTL
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