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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | 4.5V, 10V |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 4.2mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.5V @ 1mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| vgs (最大) | ±16V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 4200 pF @ 25 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3W (Ta), 70W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
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