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STW65N65DM2AG

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 60A TO247

非準拠

STW65N65DM2AG 価格と注文

単価 外貨価格
1 $10.30000 $10.3
30 $8.55767 $256.7301
120 $7.78750 $934.5
510 $6.63251 $3382.5801
1,020 $5.86250 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 50mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5500 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 446W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3
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