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RS1JLHM2G

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DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

RS1JLHM2G データシート

非準拠

RS1JLHM2G 価格と注文

単価 外貨価格
15,000 $0.04675 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Standard
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 600 V
電流 - 平均整流 (io) 800mA
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.3 V @ 800 mA
スピード Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr) 250 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 5 µA @ 600 V
静電容量 @ vr、f 10pF @ 4V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ Sub SMA
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 150°C
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関連部品番号

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DGS10-018A
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