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TSM170N06PQ56 RLG

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MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

非準拠

TSM170N06PQ56 RLG 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.22770 -
5,000 $0.21301 -
12,500 $0.20566 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 44A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 17mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1556 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 73.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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