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TSM1NB60CW RPG

TSM1NB60CW RPG

TSM1NB60CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

compliant

TSM1NB60CW RPG 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.18926 -
5,000 $0.17705 -
12,500 $0.17094 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 138 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 39W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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