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TSM80N1R2CI C0G

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TSM80N1R2CI C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB

非準拠

TSM80N1R2CI C0G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.05000 $2.05
10 $1.84800 $18.48
100 $1.48500 $148.5
500 $1.15500 $577.5
1,000 $0.95700 -
3,000 $0.92400 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 19.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 685 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ ITO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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