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CSD13303W1015

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

非準拠

CSD13303W1015 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19360 -
6,000 $0.18150 -
15,000 $0.17545 -
56 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 31A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.7 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 715 pF @ 6 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.65W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-DSBGA (1x1.5)
パッケージ/ケース 6-UFBGA, DSBGA
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