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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 21A (Ta), 60A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 3V, 8V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 4.5mOhm @ 24A, 8V |
vgs(th) (最大) @ id | 1.4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 8.4 nC @ 4.5 V |
vgs (最大) | +10V, -8V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 1300 pF @ 12.5 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3W (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SON-EP (3x3) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
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