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CSD18535KTT

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

非準拠

CSD18535KTT 価格と注文

単価 外貨価格
500 $1.86904 $934.52
1,000 $1.58485 -
21 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6620 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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