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CSD19535KTT

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

非準拠

CSD19535KTT 価格と注文

単価 外貨価格
500 $1.94770 $973.85
1,000 $1.65155 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7930 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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関連部品番号

NTD20N06-001
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$0 $/ピース
SI7370DP-T1-E3
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$0 $/ピース
BUK9Y6R5-40HX
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$0 $/ピース
IRFB3307ZPBF
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$0 $/ピース
AUIRF5210STRL
FDMC0310AS-F127
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$0 $/ピース
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AOTF288L
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