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CSD19536KTT

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

compliant

CSD19536KTT 価格と注文

単価 外貨価格
500 $2.89504 $1447.52
1,000 $2.45485 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 153 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 12000 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 375W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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関連部品番号

IPA65R650CEXKSA1
NTHL080N120SC1A
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SQM40022EM_GE3
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IXTP140N12T2
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STL8N10F7
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FDMC2674
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