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CSD19536KTTT

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

compliant

CSD19536KTTT 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.52000 $6.52
500 $6.4548 $3227.4
1000 $6.3896 $6389.6
1500 $6.3244 $9486.6
2000 $6.2592 $12518.4
2500 $6.194 $15485
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 153 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 12000 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 375W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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関連部品番号

FQPF11P06
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R6042JNZ4C13
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R6515ENXC7G
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SQJ457EP-T1_BE3
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