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CSD25213W10

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Texas Instruments

MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

非準拠

CSD25213W10 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.12705 -
6,000 $0.11935 -
15,000 $0.11165 -
15196 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 47mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2.9 nC @ 4.5 V
vgs (最大) -6V
入力容量(ciss)(最大)@vds 478 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース 4-UFBGA, DSBGA
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