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CSD85312Q3E

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Texas Instruments

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

非準拠

CSD85312Q3E 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.38220 -
53400 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET機能 Logic Level Gate, 5V Drive
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 39A
rds オン (最大) @ id、vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (最大) @ id 1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15.2nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2390pF @ 10V
パワー - 最大 2.5W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 8-VSON (3.3x3.3)
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