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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 1.5A (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 2.5V, 4V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 160mOhm @ 750mA, 4V |
vgs(th) (最大) @ id | 1.1V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | - |
vgs (最大) | ±12V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 125 pF @ 10 V |
FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力(最大) | 500mW (Ta) |
動作温度 | 150°C |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | UFV |
パッケージ/ケース | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
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