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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 24A (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 1.02mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 40 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±30V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 2250 pF @ 300 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 190W (Tc) |
動作温度 | 150°C |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
パッケージ/ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
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