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TK55S10N1,LQ

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MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

非準拠

TK55S10N1,LQ 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $1.21940 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 55A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 500µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3280 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 157W (Tc)
動作温度 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK+
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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