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TK6Q60W,S1VQ

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MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK

非準拠

TK6Q60W,S1VQ 価格と注文

単価 外貨価格
75 $1.46253 $109.68975
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 820mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.7V @ 310µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 390 pF @ 300 V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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