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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 120A (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 6V, 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 1.14mOhm @ 60A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 3V @ 500µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 55 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 4560 pF @ 10 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 960mW (Ta), 132W (Tc) |
動作温度 | 175°C |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
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