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TPN4R303NL,L1Q

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TPN4R303NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON

非準拠

TPN4R303NL,L1Q 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.37800 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1400 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta), 34W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-TSON Advance (3.1x3.1)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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