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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 600V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 70A (Tc) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| vgs(th) (最大) @ id | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 28nC @ 8V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 2260pF @ 100V |
| パワー - 最大 | 470W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
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